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我国政府主管部门高度重视第三代半导体材料及相关技术的研究与开发。从2004年开始对第三代半导体技术领域的研究进行了部署,启动了一系列重大研究项目。2013年科技部在“863”计划新材料技术领域项目征集指南中,明确将第三代半导体材料及其应用列为重要内容。2015年和2016年国家科技重大专项02专项也对第三代半导体功率器件的研制和应用进行立项。

林郑月娥:对暴力零容忍 呼吁各界尽快对话

针对周六周日的示威暴力升级现象,林郑表示,激进示威者用包括汽油弹在内有致命风险的武器攻击警方、目无法纪,已经完全偏离了申请获批的集会,破坏努力建设的智慧城市。林郑再次强调,暴力不可以解决问题。希望香港社会尽快恢复平静,只有对话的方式才能处理中长期的问题,希望社会各界共同努力。

华为通过哈勃投资入股山东天岳,或许表明其对于第三代半导体材料前景的认可。资料显示,哈勃科技投资有限公司注册资本为7亿元人民币,由华为投资控股有限公司100%控股。

就反对派提出所谓成立“独立调查委员会”的诉求,林郑表示,在目前香港社会经历冲突矛盾之下,过去两个多月,监警会在处理游行示威的相关事件上已经做了很多工作。她认为,在这个基础上再成立独立调查委员不合适,不认同。

华为瞄准第三代半导体材料 这些上市公司已率先布局

碳化硅电力电子器件市场在2016年正式形成,根据Yole预测,碳化硅市场规模在2021年将上涨到5.5亿美元,年复合增长率可达到19%。由于我国具有广阔的应用市场,届时国产功率半导体市场也将实现大规模的增长。

目前,许多国家将第三代半导体材料列入国家计划。美国、欧盟均建立了相应的中心及联盟, 致力于研发第三代功率半导体功率器件。

林郑月娥 现场图针对周六周日观塘和荃葵青游行示威又迅速恢复并升级为暴力事件,林郑表示,希望能够尽快恢复对话,重申要平和地和社会各界进行对话,包括曾经参与示威的市民,希望聆听他们的声音。

在应用方面,根据第三代半导体的发展情况,其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域,每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域,宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。

第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb);三元化合物半导体,如GaAsAl、GaAsP;还有一些固溶体半导体,如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半导体(又称非晶态半导体),如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;有机半导体,如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。

第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。与第一代和第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。

林郑说,特区政府对暴力行径零容忍,所有暴力违法的行为都会不分背景、严肃追究、一视同仁。结束陈述后,林郑被问到是否会引入紧急状态。她回应说,目前仍然要用现有的法律手段止暴制乱。香港警队虽然面临着很大的挑战、包括被攻击、家人信息被“起底”,但警队仍然在维护香港的法治,在做着执法的工作。她强调,特区政府对目前的形势仍然在掌控之中。她也强调,作为一位负责任的特区长官,她再次回应,她不会辞职。

【环球时报-环球网报道 赴香港特派记者 陈青青 王雯雯】8月27日上午10时,香港特区行政长官林郑月娥在特首行政会议前见记者。

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